短通道效應
據說FinFET會減少許多剛才提到的通道形成問題，所以漏電流或關不起來 ... 在通道形成部位（閘極下方）打入雜質，同時解決短通道效應，一舉兩得。, 隨著閘極通道長度(gate length)越變越短，短通道效應(short channel effect)就愈益明顯，短通道效應有許多現象，其中之一就是臨界電壓(Vth)變小， ...
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3D 電晶體你真的懂嗎？完全看懂多閘極電晶體的奧祕- 第3 頁| T客邦
影響推動力的最主要因素還是來自於短通道效應，特別是本身就已經夠短的30nm閘極通道更容易發生。為了解決短通道效應，有人會預先在通道形成 ... https://www.techbang.com 3D 電晶體你真的懂嗎？完全看懂多閘極電晶體的奧祕- 第4 頁| T客邦
據說FinFET會減少許多剛才提到的通道形成問題，所以漏電流或關不起來 ... 在通道形成部位（閘極下方）打入雜質，同時解決短通道效應，一舉兩得。 https://www.techbang.com 何謂reverse short-channel effect | Yahoo奇摩知識+
隨著閘極通道長度(gate length)越變越短，短通道效應(short channel effect)就愈益明顯，短通道效應有許多現象，其中之一就是臨界電壓(Vth)變小， ... https://tw.answers.yahoo.com 元件物理基礎The scale of things Crystal Structure Crystal
為通道阻絕層。 MOSFET. •. 短通道效應. – MOS元件越小，通道的長度將隨之縮短，因此電晶體的操作速度將加快。但. 是電晶體的通道長度並不能無限制的縮減，當其 ... http://jupiter.math.nctu.edu.t 深次微米金氧半電晶體短通道效應之研究__臺灣博碩士論文知識加值系統
現今在超大型積體電路中應用，我們為了提高製程密度，則需將元件縮小，因而造成元件短通道效應(Short Channel Effect)的發生。在深次微米元件中，短通道效應為一 ... https://ndltd.ncl.edu.tw 為抑制短通道效應和改善熱不穩定度之具有內部阻絕層新金氧半電晶體 ...
經由模擬軟體驗證得知內部阻絕層可有效抑制超短通道效應與改善熱不穩定度。最後，我們結合磊晶矽鍺薄膜製程（bSGMOS)在源╱汲極區成長矽鍺薄膜，利用應力 ... https://ndltd.ncl.edu.tw 短通道效應- Wikiwand
短通道效應（英語：short-channel effects）是當金屬氧化物半導體場效應管的導電溝道長度降低到十幾奈米、甚至幾奈米量級時，電晶體出現的一些效應。這些效應主要 ... https://www.wikiwand.com 短通道效應- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
短通道效應（英語：short-channel effects）是當金屬氧化物半導體場效應管的導電溝道長度降低到十幾奈米、甚至幾奈米量級時，電晶體出現的一些效應。這些效應主要 ... https://zh.wikipedia.org 第3 章MOSFET 講義與作業
兩電場間之間互為獨立不受影響. ▫ 短通道效應. ◇ 現今元件中通到長度大多在0.2 μm 範圍或更短. ◇ 臨界電壓---VT 正比L 反比vDS. ◇ 通道導電常數---Kn` 正比μn ... http://eportfolio.lib.ksu.edu. 第一章緒論
到越來越嚴重的漏電流問題，這稱為短通道效應(Short Channel Effect)，因此許多 ... 閘極或是環繞式閘極(Gate-All-Around)都是目前改善短通道效應的方法[1,2,3]。與. https://ir.nctu.edu.tw |