直接能隙定義
半导体（英語：Semiconductor）是一种電導率在绝缘体至导体之间的物质。電導率容易受控制的 ... 一般半导体材料的能隙约为1至3电子伏特，介于导体和绝缘体之间。 ... 電子在直接能隙材料的價帶與導帶的躍遷不涉及晶格動量的改變，因此發光的效率高過間接能隙材料甚多，砷化鎵也因此是光電半導體元件中最常見的材料之一 ... ,是矽卻無法發光，主要的原因是因為半導. 體材料的能隙又分成會發光與不發光的兩. 種，又稱為直接能隙（direct band gap）與. 間接能隙（indirect band gap）。
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 直接能隙定義 相關參考資料
III-V族化合物半導體 - 國立彰化師範大學磁性薄膜實驗室
接能隙半導體，不同於間接能隙之矽半導. 體。所謂直接能隙半導體則指電子從導帶底. 部掉落至價帶頂端， ... 者之關係為Eg = 1240/λ，一般定義可見光的. 波長範圍 ... http://phys5.ncue.edu.tw 半导体- 维基百科，自由的百科全书
半导体（英語：Semiconductor）是一种電導率在绝缘体至导体之间的物质。電導率容易受控制的 ... 一般半导体材料的能隙约为1至3电子伏特，介于导体和绝缘体之间。 ... 電子在直接能隙材料的價帶與導帶的躍遷不涉及晶格動量的改變，因此發光的效率高過間接能隙材料甚多，砷化鎵也因此是光電半導體元件中最常見的材料之一 ... https://zh.wikipedia.org 半導體發光原理
是矽卻無法發光，主要的原因是因為半導. 體材料的能隙又分成會發光與不發光的兩. 種，又稱為直接能隙（direct band gap）與. 間接能隙（indirect band gap）。 https://www.ntsec.gov.tw 半導體（Semiconductor） | 科學Online
若摻雜濃度更多還可以變成是重摻雜。 3. 依照載子躍遷(carrier transition)可以分成：直接能隙(direct bandgap)與間接能隙(indirect bandgap)， ... http://highscope.ch.ntu.edu.tw 直接带隙和间接带隙有什么区别？ - 知乎
一般而言我们希望获得的是直接还是间接带隙的半导体？我最近在做二维原子晶体材料，假如能结合这个方向说… https://www.zhihu.com 直接帶隙和間接帶隙- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
https://zh.wikipedia.org 第一章緒論
有較ZnO更高能隙（3.3-3.9eV）的直接能隙半導體，所以是一個極具發展潛力 ... （B）[4]，因此在稀磁性半導體中，材料本質及能隙對於居禮溫度佔有非常重 ... Zn：Mn＝5：3，此比例已經超出一般對稀磁性半導體的定義，但我們仍認為. 載子對於 ... https://ir.nctu.edu.tw 能帶理論- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
半導體的能隙在兩者之間，電子較容易躍遷至傳導帶中。 能帶理論（英語：Energy band theory）是用量子力學的方法研究固體內部電子運動的理論。 https://zh.wikipedia.org 能隙- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
能隙（band gap或energy gap）也譯作能帶隙（energy band gap）、禁帶寬度（width of forbidden band），在固態物理學中泛指半導體或絕緣體的價帶頂端至 ... https://zh.wikipedia.org 能隙| 科學Online
(a) 直接能隙（本圖使用電腦軟體模擬，模擬材料為3QLs Bi2Se3）(b) 間接能隙（模擬材料為 ... 費米能階定義為在0K 時電子具有最高能量的能階。 http://highscope.ch.ntu.edu.tw |