浮動閘極
EEPROM是一種利用浮動閘極(Floating gate)來儲存電荷，達到記憶效果的一種記憶. 體。 ... 相反的，若浮動閘極(Floating gate)中的電子排出，則臨界電壓(Threshold. ,n或p-型浮動閘極)，或是p-channel元件(使. 用n-型浮動閘極)，兩者經長時間寫入. (program)與抹除(erase)後，穿隧氧化層之. 傷害(oxide damage)或漏電流等仍非常 ...
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 浮動閘極 相關參考資料
第一章緒論
構主要由穿遂氧化層(Tunneling Oxide Layer)、浮動閘極層(Floating Gate ... 施加正電壓於控制閘極，將會有電子被注入於浮動閘極內，而臨限電壓將會產生右移的. https://ir.nctu.edu.tw 1序論Introduction
EEPROM是一種利用浮動閘極(Floating gate)來儲存電荷，達到記憶效果的一種記憶. 體。 ... 相反的，若浮動閘極(Floating gate)中的電子排出，則臨界電壓(Threshold. https://ir.nctu.edu.tw 不同型摻雜材料浮動閘極快閃式記憶元件可靠性問題之研究
n或p-型浮動閘極)，或是p-channel元件(使. 用n-型浮動閘極)，兩者經長時間寫入. (program)與抹除(erase)後，穿隧氧化層之. 傷害(oxide damage)或漏電流等仍非常 ... https://ir.nctu.edu.tw 國立交通大學機構典藏：不同浮動閘極材料P通道快閃記憶體性能與可靠 ...
本研究論文旨在提出一個新的快閃式記憶體元件設計方向，即是以浮動閘極工程來改善元件特性。其中，吾人針對不同浮動閘極P通道的快閃記憶體來進行特性的研究。 https://ir.nctu.edu.tw 國立交通大學機構典藏：不同浮動閘極材料N通道快閃記憶體資料保存 ...
本研究論文旨在提出一個新的設計方向，即是以浮動閘極工程來改善元件特性。其中，吾人首次採用P型浮動閘極N通道的快閃記憶體來進行資料保存特性的研究， ... https://ir.nctu.edu.tw 浮閘記憶體從發明到數位電子時代
最後我們想到將一金屬層嵌入介於頂端金屬閘極與傳統 ... M(1) 不接觸任何電源，因此電位是浮動的，故以「浮 ... 關閉」；所加的閘極電壓脈衝與汲極電流如圖3 所示。 http://www.ndl.org.tw 快閃記憶體的路線之爭 - Digitimes
浮動閘極(floating gate)一派用多晶矽(polycrystalline)，常用來做閘極的導電物質；電荷捕捉(charge trap)一派則用氮化矽(silicon nitride)此種絕緣體 ... https://www.digitimes.com.tw 北美智權報第140期：挑戰創意與物理極限-- 非揮發性記憶體的過去與未來
浮閘電晶體結構，如圖一所示，是在一般的電晶體中，增加一個浮動閘極(Floating-Gate)。浮閘的上下都有絕緣體，因此從電路結構來看，其電位是 ... http://www.naipo.com 國立中興大學 - 中興大學DSpace
快閃記憶體(Flash Memory)技術發展已有20 多年餘，其浮動閘極(Floating. Gate)作為儲存區的快閃記憶體不斷的增進已經來到20 奈米的世代，由於快閃記. 憶體屬於 ... http://ir.lib.nchu.edu.tw Airiti Library華藝線上圖書館_浮動閘極材料系統在電晶體式記憶體的應用
中文摘要近年來有機記憶元件由於具有可撓曲、尺寸與材料結構多樣化等優勢，受到廣泛關注。一個典型的有機電晶體式記憶體元件是浮動閘極記憶體。在這種元件 ... http://www.airitilibrary.com |