氧化亞銅半導體
本发明是通过控制反应物中水溶液的pH值来得到所需要的不同导电类型(p或n型)的半导体氧化亚铜薄膜。方法是先配制一定浓度的二价铜离子盐溶液，通过稀酸和 ... ,半導體又依其主要載子的不同，分為p 型與n 型兩種，p 型半導體由電洞做為. 主要載子，如CuO、 NiO、Cu2O 等等，而n 型半導體則由電子做為主要載子，如. TiO2 ...
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本发明是通过控制反应物中水溶液的pH值来得到所需要的不同导电类型(p或n型)的半导体氧化亚铜薄膜。方法是先配制一定浓度的二价铜离子盐溶液，通过稀酸和 ... https://patents.google.com 國立交通大學機構典藏
半導體又依其主要載子的不同，分為p 型與n 型兩種，p 型半導體由電洞做為. 主要載子，如CuO、 NiO、Cu2O 等等，而n 型半導體則由電子做為主要載子，如. TiO2 ... https://ir.nctu.edu.tw 國立中山大學物理所碩士論文以磁控濺鍍法成長氧化亞銅磊晶 ...
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論文摘要氧化亞銅為一直接能隙(2.0eV)的半導體材料，具有在可見光區內高吸收係數、低製造成本、無毒性且在地球上含量豐富之優點。其光電特性使其可應用於 ... https://ndltd.ncl.edu.tw |