感應耦合 式 電 漿 蝕刻 系統
由 陳力輔 著作 · 2004 — 本章我們將介紹氮化鎵之基本材料性質、閘極掘入工作原理與電漿蝕刻基. 本原理。 ... 乏區的深度與半導體中摻雜的雜質濃度及外加偏壓的大小有關，可以式. 2-1 表示。 ,由 廖木生 著作 · 2004 · 被引用 1 次 — Resonance)、活性離子蝕刻(Reactive Etching)、感應耦合式電漿 ... Coupled Plasma)，這次研究是採用變壓耦合式電漿蝕刻系統。變壓. 耦合式電漿蝕刻系統具有高電漿 ...
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 感應耦合 式 電 漿 蝕刻 系統 相關參考資料
感應耦合式電漿蝕刻系統
此機台為乾式深蝕刻矽材. 之設備，搭配C4F8、SF6氣體與低溫載盤來建置Bosch Deep Si Etching 方式的深蝕刻. 矽基材參數。 ❖ 全名: 感應耦合式電漿蝕刻系統(ICP Etcher). https://www.tsri.org.tw 第二章 感應耦合電漿蝕刻與AlGaNGaN HEMT
由 陳力輔 著作 · 2004 — 本章我們將介紹氮化鎵之基本材料性質、閘極掘入工作原理與電漿蝕刻基. 本原理。 ... 乏區的深度與半導體中摻雜的雜質濃度及外加偏壓的大小有關，可以式. 2-1 表示。 https://ir.nctu.edu.tw 國立交通大學機械工程研究所碩士論文 - 國立交通大學機構典藏
由 廖木生 著作 · 2004 · 被引用 1 次 — Resonance)、活性離子蝕刻(Reactive Etching)、感應耦合式電漿 ... Coupled Plasma)，這次研究是採用變壓耦合式電漿蝕刻系統。變壓. 耦合式電漿蝕刻系統具有高電漿 ... https://ir.nctu.edu.tw 中興大學校內貴重儀器中心感應耦合式電漿蝕刻機管理辦法
一、宗旨：. 感應耦合式電漿蝕刻機管理辦法之訂定主要在使本儀器能發揮最大使. 用效益，服務全校師生或校外研究人員。 二、服務對象：. 本儀器之服務對象以本校師生、 ... http://research.nchu.edu.tw 感應耦合電漿離子蝕刻技術應用於3D IC 玻璃穿孔導線封裝研究
由 湯喻翔 著作 — 應耦合電漿離子蝕刻(inductively coupled plasma-reactive ion etching, ICP-RIE) 系統，以八氟環丁烷(C4F8). 與氦氣(He) 混和氣體作為反應氣體，對石英玻璃進行穿孔 ... https://www.tiri.narl.org.tw 感應耦合電漿離子蝕刻製程應用於光通訊元件之開發研究
本實驗採用光阻與二氧化矽兩種遮. 罩，經過七道ICP-RIE 蝕刻的製程步驟，製作兩種. 結構厚度。所有製程步驟均在ICP-RIE 乾蝕刻製程. 機台中完成，單一種製程及無濕蝕刻黏著 ... https://www.tiri.narl.org.tw 以感應耦合電漿(ICP-RIE)蝕刻氮化鎵結構之研究__臺灣博碩士 ...
而感應耦合電漿活性離子蝕刻（ICP-RIE，inductively coupled plasma reactive ion etching）正符合上述要求，其以離子源之物理性作用，進而控制其化學性蝕刻，具有解析 ... https://ndltd.ncl.edu.tw |