微負載效應

本发明公开了一种利用光刻层降低微负载效应的方法,本发明的方法包含下面的步骤:首先,提供一基底,其中基底划分为一高密度区和一低密度区,形成一高密度图案于高密度 ... ,在蝕刻這種有不同長寬比之特徵部的半導體元件時,特別是當特徵部的長寬比為高...

微負載效應

本发明公开了一种利用光刻层降低微负载效应的方法,本发明的方法包含下面的步骤:首先,提供一基底,其中基底划分为一高密度区和一低密度区,形成一高密度图案于高密度 ... ,在蝕刻這種有不同長寬比之特徵部的半導體元件時,特別是當特徵部的長寬比為高,微負載效應變成一普遍的問題。因而開闊特徵部之蝕刻速率較密集特徵部來的快。

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微負載效應 相關參考資料
CN102810470A - 降低微负载效应的方法

本发明公开了一种利用光刻层降低微负载效应的方法,本发明的方法包含下面的步骤:首先,提供一基底,其中基底划分为一高密度区和一低密度区,形成一高密度图案于高密度 ...

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CN102810470A - 降低微负载效应的方法- Google Patents

本发明公开了一种利用光刻层降低微负载效应的方法,本发明的方法包含下面的步骤:首先,提供一基底,其中基底划分为一高密度区和一低密度区,形成一高密度图案于高密度 ...

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TWI451496B - 含鎢層之蝕刻微負載效應的控制方法 - Google ...

在蝕刻這種有不同長寬比之特徵部的半導體元件時,特別是當特徵部的長寬比為高,微負載效應變成一普遍的問題。因而開闊特徵部之蝕刻速率較密集特徵部來的快。

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【光刻百科】刻蝕負載效應Etch Loading Effect_光刻人的世界

2018年3月17日 — 所謂負載效應,是區域性刻蝕氣體的消耗大於供給引起的刻蝕速率下降或分佈不均的效應。負載效應(loading effect)可以分為3種:巨集觀負載 ...

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【刻蚀】负载效应Loading Effect - 芯制造

【刻蚀】负载效应Loading Effect. 1645. 发表时间:2018-06-02 15:33. 负载效应1.jpg. 负载效应2.jpg. 上一篇【刻蚀】刻蚀剖面Etch Cross-section.

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刻蝕負載效應 - 中文百科全書

負載效應(loading effect)可以分為3種:巨觀負載效應(macroloading)、微觀負載效應(microloading)以及與與刻蝕深寬比相關的負載效應(aspect ratio dependent ...

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刻蝕負載效應 - 中文百科知識

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刻蝕負載效應_百度百科

所謂微觀負載效應,是指在同一設計圖案內圖形密度的不同導致刻蝕速率的不同,如圖1(b)所示。在圖形密集的區域反應離子的有限成分消耗得快,造成供給失衡,刻蝕速率下降。

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负载效应(刻蚀效应)_百度百科

所谓负载效应,是局部刻蚀气体的消耗大于供给引起的刻蚀速率下降或分部不均的效应。 ... 与刻蚀深宽比相关的微负载效应(ARDE)主要表现在同一衬底不同尺寸的图形刻蚀 ...

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