影響boe蝕刻sio2的參數
由 劉吉峰 著作 · 2005 — 4.4.1 探討不同的蝕刻參數對蝕刻性質之影響………………….97. 4.4.1.1 感應耦合式電漿功率(ICP power)對 ... 性的熱、電及機械性質，與傳統介電材料SiO2製程相容性低。上述. ,由 葉偉誠 著作 · 2008 — 經過所有的蝕刻製程已經清洗過程(丙酮、異丙醇、純水洗去PMMA以. 及BOE、純水去二氧化矽)，我們方可確認最後的氮化鎵孔洞深度。 整理如下：. 參數. 最佳深度. SiO2/GaN蝕刻 ...
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由 葉偉誠 著作 · 2008 — 經過所有的蝕刻製程已經清洗過程(丙酮、異丙醇、純水洗去PMMA以. 及BOE、純水去二氧化矽)，我們方可確認最後的氮化鎵孔洞深度。 整理如下：. 參數. 最佳深度. SiO2/GaN蝕刻 ... https://ir.nctu.edu.tw 朱安國博士非等向性蝕刻製程於 - 畢業離校論文繳交- 國立中山 ...
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