尖端放電半導體
此外，半導體裝置幾乎已使用於各個領域，由於半導體元件很容易受到靜電的 ... (2) 防止尖端放電：帶電荷物體的外表周圍如有突出尖端，則這些尖端較容易產生電暈 ... ,文獻中提到陽極的尖端放電問題比陰極還嚴重,不知道是為什麼呢? ... jjvh: 至於尖端放電本身代表載子困在金屬與半導體接面，也就是蕭基 08/09 20: ...
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 尖端放電半導體 相關參考資料
6.2.1 ESD-Implant Process(防靜電放電佈植製程)
源極的兩端形成了兩個"尖端"，ESD放電作用類似於雷擊，. "尖端放電"的現象便容易發生在LDD這個尖端結構上，當這. 種LDD元件用於輸出級(output buffer)，NMOS ... http://www.ics.ee.nctu.edu.tw IOSH安全資料表－靜電消除設備
此外，半導體裝置幾乎已使用於各個領域，由於半導體元件很容易受到靜電的 ... (2) 防止尖端放電：帶電荷物體的外表周圍如有突出尖端，則這些尖端較容易產生電暈 ... http://in.ncu.edu.tw OLED陽極的尖端放電- 看板Physics - 批踢踢實業坊
文獻中提到陽極的尖端放電問題比陰極還嚴重,不知道是為什麼呢? ... jjvh: 至於尖端放電本身代表載子困在金屬與半導體接面，也就是蕭基 08/09 20: ... https://www.ptt.cc 二極體- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
半導體二極體的非線性電流-電壓特性，可以根據選擇不同的半導體材料和摻雜不同的雜質從而形成雜質半導體來改變。 ..... 針狀電極和平板電極相向接近尖端放電。 https://zh.wikipedia.org 尖端放電- 维基百科，自由的百科全书
尖端放電為電暈放電(corona discharge)的其中一種，造成此現象的原因主要為導體尖端周圍的空氣被導體產生的電場電離。當導體周圍電場的值(Potential gradient) ... https://zh.wikipedia.org 常壓電漿原理、技術與應用關鍵詞 - Creating Nano Technologies
Vapor Deposition）成長薄膜、半導體製程的電漿乾蝕刻（Plasma. Etching），電漿 .... 接電源供應器、一端接地，利用尖端放電後，藉由高流速氣體流經圓. 管內將電弧 ... http://www.creating-nanotech.c 第一章緒論 - 國立交通大學機構典藏
營實力，本文中以半導體製程薄膜化學氣相沉積中之電漿輔助化學氣相沉積. (Plasma ...... 造成尖端放電效應，當電漿蝕刻長期作用下，陽極膜的破損也於此處發. https://ir.nctu.edu.tw 第六章靜電
(1) 半導體加入極少量的其它元素(如鎵、砷等)，其導電性可大量增加。 (2) 溫度 ..... (1)避雷針尖端放電：當帶電的雲層接近時，避雷針尖端感應異性電荷，並最先到達空. http://jupiter.cksh.tp.edu.tw 電現象- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
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没有半导体层导体毛刺、绞合导体引起的电场不均衡无法改善，容易引起尖端放电，半导体材料改善了电缆绝缘内电场的分布，提高了电缆绝缘水平 ... http://www.dxdlw.com |