射頻電漿
引發電漿的電源供應器一般分為直流(DC, Direct Current)電源、射頻(RF,. Radio Frequency)電源及微波(MW, Microwave)電源，一般RF 的頻率13.56MHz，. MW 在2.45GHz，這是法令與許工廠使用的頻率，現在還有介於中間範圍的電源。 直流輝光放電的方式，電極需裝置在反應器內部，對於要求高純度組成的製程有. 污染之虞，而且 ... ,高密度電漿（HDP）源的游離. 率就高得多，大約1%；(太陽. 中心處的游離率就大約100%). • Large number of species. Ar. O. O2. O2. +. Ar+ e-. O+ n n. , T n n e. , T e n i. , T i n i. ,~ n e n n. >>n i. ,n e. T e. >>T i. , T n. 4. 電漿的產生. ▫ 需要外界的能量- 射頻（RF）電漿源是半導. 體製程中最普遍的電漿源. ▫ 欲產生射頻電
| 相關軟體 Etcher 資訊 | |
|---|---|
 射頻電漿 相關參考資料
Chapter 7 電漿的基礎原理
40. 離子轟擊的控制. ‧增加射頻功率，則電漿電位增加，直流偏壓. 也增加. ‧離子密度與離子轟擊能量均可由射頻功率控. 制. ‧射頻功率是控制離子轟擊最主要的樞紐. ‧商業用途之射頻是13.56MHz ... http://www.isu.edu.tw 電漿反應器與原理
引發電漿的電源供應器一般分為直流(DC, Direct Current)電源、射頻(RF,. Radio Frequency)電源及微波(MW, Microwave)電源，一般RF 的頻率13.56MHz，. MW 在2.45GHz，這是法令與許工廠使用的頻率，現在還有介於中間範圍的電源。 直流輝光放電的方式，電極需裝置在反應器內部，對於要求高純度組成的製程有. 污染之虞，而且 ... http://ebooks.lib.ntu.edu.tw Plasma
高密度電漿（HDP）源的游離. 率就高得多，大約1%；(太陽. 中心處的游離率就大約100%). • Large number of species. Ar. O. O2. O2. +. Ar+ e-. O+ n n. , T n n e. , T e n i. , T i n i. ,~ n e n n. >>n i. ,n e. T e. >>T i. , T n. 4... http://homepage.ntu.edu.tw 第五章電漿基礎原理
游離率主要決定於電漿中的電子能量. 2. 在大部分的電漿製程反應室中，游離率. 都低於0.001%. 3. 高密度電漿（HDP）源的游離率就高. 得多，大約1%. 4. （太陽中心處的游離率就大約100%）. Page 2. 3. 平行板電漿系統. 電漿. 射頻功率. 暗區. 或. 鞘層. 電極. 至真空幫浦. 陰極. 4. 離子化 e＊ + A. A+ + 2 e. • 離子化碰撞產生電子和離子... http://homepage.ntu.edu.tw 電漿源原理與應用之介紹
在電漿技術中電漿源則是系統的關鍵。目前產生. 電漿的方法以使用的功率源而言有直流放電(DC discharge)，低頻及中頻放電(數KHz 到數MHz),射頻. 放電(13.6MHz)，及微波放電(2.45GHz)。現行電漿製. 程多操作在低氣壓之輝光放電(mTorr 到百Torr)。而. 操作在1 大氣壓的低溫電漿製程則是現在研究的重要. 課題。以半導體製程而 ... http://psroc.org.tw 高密度電漿源設計製作及其應用在半導體製程之發展情況
電漿在乾蝕刻方面的應用，已逐漸由高密度電漿. 源取代傳統的活性離子蝕刻(reactive ion etching,. RIE)。傳統的活性離子蝕刻以射頻(radio frequency) 電. 源經由電極板的電容耦合方式產生電漿，其工作氣壓. 較高，離子化的比率低，電漿密度也低，離子經晶圓. 上方鞘層(sheath layer) 內加速撞向晶圓時，易因與氣. 體分子之碰撞而偏離 ... http://stpss.stpi.narl.org.tw 電漿的基礎原理www.tool-tool.com @ BW Professional Cutter Expert ...
電漿的電位一定都高於電極。較高的電漿電位會產生離子轟擊。 ○增加電容耦合型電漿中的射頻功率，也就會提高離子的轟擊流通量和離子的轟擊能量。 ○低頻率射頻功率會讓離子有更多能量，而這也意味著會有較劇烈的離子轟擊。 ○蝕刻製程比PECVD製程需要更多的離子轟擊。蝕刻反應室通常會使用一個磁場來增加低壓下的電漿 ... http://beeway.pixnet.net 電漿源 - 俊尚科技股份有限公司
所有COPRA系列的電漿源皆採無燈絲式（filamentless）低壓感應耦合RF射頻設計，電漿源內建可調式匹配網路，可讓電漿能源之傳輸效率達至最佳。而COPRA所產生的中性電漿（亦即電漿內有著接近等量的離子與電子，所形成的電荷平衡狀態），在導體或絕緣體基材上的薄膜沈積、蝕刻或表面改質等應用上，可有效減少電荷累積的狀態 ... http://www.junsun.com.tw RF射頻電源供應器 - 俊尚科技股份有限公司
任何需要使用電漿（Plasma）做製程處理的應用場合中，好的RF射頻電源供應器將能提供更穩定、電能轉換效率更高、更不受外界干擾影響的工作電漿。俊尚科技提供您各知名廠牌之RF電源供應器，從小瓦數到工業級10KW以上之電源供應器皆有提供，歡迎與我們洽詢。下列是部分款式的簡易規格： 300W... http://www.junsun.com.tw 第四章電漿放電基本原理
第一節電漿能量分佈. 1.1 分佈函數. 電漿的許多性質是由氣體中帶電荷的質點所決定，因此描述電漿. 的行為必需由帶電荷質點的行為出發，而氣體中帶電荷質點的行為 ...... 比一般射頻電漿頻. 率為低。 3.5 直流放電. 正常的直流放電包含一系列輝光區域(glow region)及暗空間(dark space)，如圖一五六所示，這是在電極間施加低電壓的 ... http://eportfolio.lib.ksu.edu. |