寬能隙電力電子研發聯盟
我國投入寬能隙高功率材料與模組製程研究多年，建立與國際功率模組產業之技術交流平台實屬必要，本研討會特邀請國內外功率半導體產學機構，包括Infineon ... ,全球晶片製造業創新研究發展重點之一在於次世代電力電子及射頻功率元件製造技術，由於矽(Si)材料已接近其理論上的性能極限，具寬能隙(Wide Band Gap; WBG) ...
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108年度電力電子研發聯盟高功率密度寬能隙模組與智慧轉能 ...
... 電力電子研發聯盟高功率密度寬能隙模組與智慧轉能系統成果展示會. 上課地址：工研院中興院區51館422國際會議廳. 時數：3. 起迄日期：2019-12-05~2019-12- ... https://college.itri.org.tw 2016功率半導體材料（氮化鎵＆碳化矽）應用元件國際論壇
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全球晶片製造業創新研究發展重點之一在於次世代電力電子及射頻功率元件製造技術，由於矽(Si)材料已接近其理論上的性能極限，具寬能隙(Wide Band Gap; WBG) ... https://duc.ncsist.org.tw 寬能隙半導體之政府投入分析 - 科技政策觀點 - 國家實驗研究院
本文以寬能隙半導體為主題，探討政府在此方面之資源投入概況，就目前熱門材料之氮化鎵、碳化矽、氧化鋅、鑽石、及寬能隙作為關鍵字查詢政府 ... https://portal.stpi.narl.org.t 寬能隙電力電子|半導體|產業焦點|產科國際所【IEK產業情報網】
一、寬能隙電力電子; (一) 碳化矽元件; (二) 氮化鎵; 二、結論. 【圖表大綱】. 表一、寬能隙材料與矽的物理特性比較表; 圖一、Cree 的600V/10A SiC SBD產品 ... https://ieknet.iek.org.tw 寬能隙電力電子研發聯盟成軍@ lampy的部落格:: 痞客邦::
工研院昨日與世界先進、車王電、漢民、光磊等20家磊晶、元件設計、製造、封測、驗證及系統業者，組成「寬能隙電力電子研發聯盟」，攜手 ... https://lampy.pixnet.net 工研院攜手20家廠商籌組「寬能隙電力電子研發聯盟」
傳統的矽晶半導體元件正面臨效率提升困境，高效率的寬能隙(Wide Bandgap)碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)化合物半導體元件正崛起成為發展主流。 https://archive.eettaiwan.com 微電子組工作成果報告
新一代電力電子技術,即寬能隙碳化矽(SiC) 元件具有高導熱、耐高壓、電流等 ... 行,由工研院電子與光電研究所協助本分組活動之辦理,寬能隙電力電子研發聯盟. http://duct.cpami.gov.tw |