半導體結構

一般半導體材料的能隙約為1至3電子伏特,介於導體和絕緣體之間。因此只要給予適當條件的能量激發,或是改變其能隙之間距,此材料就能導電。 主條目:直接帶 ... ,PN接面基本構造:圖示為以矽為主要材料的PN接面。 ... 一塊半導體晶體一側摻...

半導體結構

一般半導體材料的能隙約為1至3電子伏特,介於導體和絕緣體之間。因此只要給予適當條件的能量激發,或是改變其能隙之間距,此材料就能導電。 主條目:直接帶 ... ,PN接面基本構造:圖示為以矽為主要材料的PN接面。 ... 一塊半導體晶體一側摻雜成P型半導體,另一側摻雜成N型半導體,中間二者相連的接觸面稱為PN接面(英語:p-n junction) ...

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半導體結構 相關參考資料
半导体- 维基百科,自由的百科全书

https://zh.wikipedia.org

能帶結構- 維基百科,自由的百科全書

一般半導體材料的能隙約為1至3電子伏特,介於導體和絕緣體之間。因此只要給予適當條件的能量激發,或是改變其能隙之間距,此材料就能導電。 主條目:直接帶 ...

https://zh.wikipedia.org

PN接面- 維基百科,自由的百科全書

PN接面基本構造:圖示為以矽為主要材料的PN接面。 ... 一塊半導體晶體一側摻雜成P型半導體,另一側摻雜成N型半導體,中間二者相連的接觸面稱為PN接面(英語:p-n junction) ...

https://zh.wikipedia.org

分類:半導體結構- 維基百科,自由的百科全書

子分類. 此分類僅包含以下1 個子分類。 量. 量子點‎ (2個頁面). 「分類:半導體結構」分類的頁面. 此分類包含以下12 個頁面,共12 個。

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半導體材料- 維基百科,自由的百科全書

分類[編輯] · 三五半導體:由Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb組成,比如砷化鎵(GaAs);它們都具有閃鋅礦結構,在應用方面僅次於Ge、Si。 · 二六半導體:Ⅱ族元素Zn、 ...

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