半導體元素

,元素半导体指以单一元素组成的半导体,属于这一材料的有硼、锗、硅、灰锡、锑、硒、碲等,其中以锗、硅、锡研究较早,制备工艺相对成熟。...

半導體元素

,元素半导体指以单一元素组成的半导体,属于这一材料的有硼、锗、硅、灰锡、锑、硒、碲等,其中以锗、硅、锡研究较早,制备工艺相对成熟。...

相關軟體 Etcher 資訊

Etcher
Etcher 為您提供 SD 卡和 USB 驅動器的跨平台圖像刻錄機。 Etcher 是 Windows PC 的開源項目!如果您曾試圖從損壞的卡啟動,那麼您肯定知道這個沮喪,這個剝離的實用程序設計了一個簡單的用戶界面,允許快速和簡單的圖像燒錄.8997423 選擇版本:Etcher 1.2.1(32 位) Etcher 1.2.1(64 位) Etcher 軟體介紹

半導體元素 相關參考資料
1-13半導體的種類 - 科技台灣

元素半導體. 一種元素鍵結形成的半導體,稱為「元素半導體」。例如碳(C)、矽(Si)等固體材料,大多屬於4A族元素,請自行參考圖1-7之元素週期表。元素半導體的發光效率很差,因此我們多利用它來製作運算元件,例如:矽(Si)是屬於「間接能隙(Indirect bandgap)」,. 所以矽晶圓所製作的元件不會發光,一般都用來製作 ...

http://www.hightech.tw

Ansforce

https://www.ansforce.com

元素半导体_百度百科

元素半导体指以单一元素组成的半导体,属于这一材料的有硼、锗、硅、灰锡、锑、硒、碲等,其中以锗、硅、锡研究较早,制备工艺相对成熟。...

https://baike.baidu.com

元素半导体材料_百度百科

元素半导体材料(elemental semiconductor material)是指由单体元素构成的半导体材料。共有12种元素具有半导体性质,即硅、锗、硼、碲、碘及碳、磷、砷、硫、锑、锡的某种同素异形体。...

https://baike.baidu.com

半导体- 维基百科,自由的百科全书

材料中载流子(carrier)的数量对半导体的导电特性极为重要。这可以通过在半导体中有选择的加入其他“杂质”(IIIA、VA族元素)来控制。如果我們在純矽中摻雜(doping)少許的砷或磷(最外層有5個電子),就會多出1個自由電子,這樣就形成N型半導體;如果我們在純矽中摻入少許的硼(最外層有3個電子),就反而少了1個電子,而形成 ...

https://zh.wikipedia.org

半导体材料- 维基百科,自由的百科全书

半导体材料是导电能力介于导体和绝缘体之间的一类固体材料。 发展[编辑]. 1833年,英國的法拉第(Michael Faraday)發現的其中一種半導體材料:硫化銀,因為它的電阻隨著溫度上升而降低。 1874年,德國的布勞恩(Ferdinand Braun),注意到硫化物的電導率與所加電壓的方向有關,這就是半導體的整流作用。 1947年12月23日,巴 ...

https://zh.wikipedia.org

半導體

至於半導體,其能量障礙不是很大,低於非導體,所以在高溫,照光等給予能量的狀況或是加入一些可減小能量障礙的元素,便可以改變其電阻值,成為電的良導體.電子工業是利用半導體這種可隨環境,參質的加入等而改變其導電能力的特性,發展出多項的應用產品. 半導體的材料又可分為元素半導體及化合物半導體.元素半導體是由一元素所 ...

http://teacher.cmsh.cyc.edu.tw

半導體(semi-conductor)

體與化合物半導體,但常用的元素半導體仍以四價的矽、鍺為主。化合物半導體. 包括,三五族元素的化合物,二六族元素的化合物,甚至由三種材料製成的三元. 化合物(如:AlGaAs、InGaAs))。只要外圍價電子總數=8,均可視為半導體材料。 不同的組合會有不同的物理特性,某些三五族、二六族的化合物通電時會發光,. 如砷化鎵(GaAs) ...

http://www.edtung.com

半導體物理簡介

半導體物理簡介. 3. 及化合物半導體(compound semiconductors)。元素半導體,例如矽(silicon, Si)、. 鍺(germanium, Ge),由單一的四價元素(有四個價電子)所形成。常見化合物半. 導體又可依照成分元素的週期表分類分為四四族化合物半導體(如碳化矽SiC、. 矽鍺合金等)、三五族化合物半導體(如砷化鎵GaAs、氮化鎵GaN、磷化 ...

http://ezphysics.nchu.edu.tw

半導體製程及原理

半導體工業所使用之材料包含單一組成的半導體元素,如矽(Si)、鍺(Ge)(屬化學週期表上第四族元素)及多成分組成的半導體含二至三種元素,如鎵砷(GaAs)半導體是由第三族的鎵與第五族的砷所組成。在1950年代早期,鍺為主要半導體材料,但鍺製品在不甚高溫情況下,有高漏失電流現象。因此,1960年代起矽晶製品取代鍺成為 ...

http://www2.nsysu.edu.tw