創見 抗 硫化
2666. 時序. CL19. 容量. 16GB. Rank. 2Rx8. DRAM. (1Gx8)x18. 電壓. 1.2V. Pin. 288 pin. 電路板高度. 0.74 吋. PCB金手指鍍金厚度. 30 µ”. 抗硫化技術. Default ... ,2666. 時序. CL19. 容量. 16GB. Rank. 2Rx8. DRAM. (1Gx8)x18. 電壓. 1.2V. Pin. 260 pin. 電路板高度. 1.18 吋. PCB金手指鍍金厚度. 30 µ”. 抗硫化技術. Default ...
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