二極體逆向飽和電流公式
飽和電流，或者更精確的說，反向飽和電流是半導體二極體中由少數載流子從中立區到耗盡層或耗盡區的擴散引起的那部分反向電流。反向飽和電流幾乎不受反向電壓的影響。 ,(二)特性曲線： 矽質二極體的逆向飽和電流極小故從略，只量順向電 流，電路加圖15 所示。 二極體的偏壓變化極小，低偏壓 時，電流很小，故以靈敏度高，阻抗大的DMM 量取。
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 二極體逆向飽和電流公式 相關參考資料
Ch. 05 二極體特性02
‧漏電流主要是由存在於二極體兩 區(n區及p區)內之少數載子移動 所引起。 ‧少數載子的存在是因為由熱能/Heat 所產生的電子－電洞對。 ‧因為溫度決定了電子－電洞對的數量 ，故漏電流也受到溫度的影響。 ：二極體逆向飽和電流(鍺=數µA，矽=數nA) e：自然指數的底數(e ≒ 2.718……) http://mail.knu.edu.tw 飽和電流- 維基百科，自由的百科全書
飽和電流，或者更精確的說，反向飽和電流是半導體二極體中由少數載流子從中立區到耗盡層或耗盡區的擴散引起的那部分反向電流。反向飽和電流幾乎不受反向電壓的影響。 https://zh.wikipedia.org 二極體
(二)特性曲線： 矽質二極體的逆向飽和電流極小故從略，只量順向電 流，電路加圖15 所示。 二極體的偏壓變化極小，低偏壓 時，電流很小，故以靈敏度高，阻抗大的DMM 量取。 http://w3.phys.nthu.edu.tw 二極體模型- 維基百科，自由的百科全書
逆向飽和電流正比於二極體的橫截面面積。其餘符號的意思： V T -displaystyle V ... 時，該公式可以簡化為：. I ≈ I S ⋅ e V D / ( n V T ) -displaystyle I ... https://zh.wikipedia.org 電子學2-4逆向飽和電流
‧漏電流主要是由存在於二極體兩 區(n區及p區)內之少數載子移動 所引起。 ‧少數載子的存在是因為由熱能/Heat 所產生的電子－電洞對。 ‧因為溫度決定了電子－電洞對的數量 ，故漏電流也受到溫度的影響。 ：二極體逆向飽和電流(鍺=數µA，矽=數nA) e：自然指數的底數(e ≒ 2.718……) https://www.youtube.com pn接面二極體的動作原理
當二極體所受偏壓低於切入電壓 時，流經二極體的電流可被視為零。 二極體如同一個打開的關關，亦即二極體被視為OFF。 當二極體所受偏壓大於切入電壓時，有電流流通。 二極 ... http://pub.tust.edu.tw 第二章
二逆向偏壓（ reverse bias ） 二極體的N 側接正電壓，而P 側接負電壓稱為「逆向偏壓」，如圖2-16 所示。 子流動（逆向飽和電流IS），故逆向偏壓時的二極體可視為斷路狀態 ... https://www.scribd.com 第一章半導體特性與PN 二極體1-1
已知一個矽二極體之逆向飽和電流每升高10°C 約成為原先之兩倍。在溫. 度25°C 時的逆向飽和電流為3nA，當逆向飽和電流增加到24nA，則溫度. 約升到幾度？ 35°C. 45 ... https://service.tabf.org.tw 二極體電路試題範例及解答Question 1
二極體元件D1： vD1 = 0. -V = -3.33 < 0 (逆向偏壓)、 iD1 = 0 ，符合假設；. 二極體元件D2： vD2 = 0. (順向偏壓)、 iD2 = mA > 0 ，符合假設 ... http://km.emotors.ncku.edu.tw 光電二極體(Photodiode)全面解析：從基礎到應用
等效噪聲功率（NEP）可以使用光量子效率（EQE，External Quantum Efficiency）和暗電流（Dark Current）計算公式來表示。 NEP = (2 * e * Δf * Dark Current) / EQE. 其中：. – NEP ... https://enlitechnology.com |