三星10nm

在今天於中國舉辦的「精尖製造日」活動上,Intel全球首次展示了用於Cannon Lake處理器的10nm晶圓。Intel強調,其擁有世界上最密集的電晶體和最小的金屬間距,從而實現了業內最高的電晶體密度,領先其他「10納米」整整一代,即3...

三星10nm

在今天於中國舉辦的「精尖製造日」活動上,Intel全球首次展示了用於Cannon Lake處理器的10nm晶圓。Intel強調,其擁有世界上最密集的電晶體和最小的金屬間距,從而實現了業內最高的電晶體密度,領先其他「10納米」整整一代,即3年。, 在驍龍845的工藝選擇上,高通依然使用了老朋友三星來代工,工藝是10nm FinFET LPP(Low Power Plus),工藝指標上,性能較LPE(Low Power Early)性能提升10%,功耗降低15%。

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Intel Graphics Driver (64-bit)
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三星10nm 相關參考資料
10nm技術節點大戰:台積電vs.三星- EE Times Taiwan 電子工程專輯網

本文以材料分析角度,探討在iPhone 8的Bionic與Galaxy S8的Exynos8895晶片中SRAM區域與FinEFT製程的差別,並分析技術呈現奈米級尺寸及其選用材料的差異,進一步瞭解台積電與三星的10nm製程。

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三星10nm果然是個坑爹貨!全球最爛…… - 每日頭條

在今天於中國舉辦的「精尖製造日」活動上,Intel全球首次展示了用於Cannon Lake處理器的10nm晶圓。Intel強調,其擁有世界上最密集的電晶體和最小的金屬間距,從而實現了業內最高的電晶體密度,領先其他「10納米」整整一代,即3年。

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高通為何繼續採用韓國的三星10nm工藝而暫時放棄台積電7nm工藝 ...

在驍龍845的工藝選擇上,高通依然使用了老朋友三星來代工,工藝是10nm FinFET LPP(Low Power Plus),工藝指標上,性能較LPE(Low Power Early)性能提升10%,功耗降低15%。

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三星10nm製程都還沒普及,明年就打算用上7nm晶片! - 每日頭條

在面對台積電已宣布其7nm工藝將在明年初量產,而三星電子也在近日正式宣布,其將11nm FinFET製程技術(11nm LPP,Low Power Plus)提上研發日程,預計將於明年推出首款採用該工藝的晶片。

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三星開始量產第二代10nm LPP工藝Soc - 每日頭條

【手機中國新聞】11月29日消息,全球領先的半導體公司三星電子今日宣布,已開始量產基於第二代10納米FinFET工藝技術((10LPP)為基礎的單晶片系統(SoC)產品。

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10nm之爭三星領先台積電,甚至影響到7nm - 每日頭條

14/16nmFinFET工藝之爭以三星領先結束,10nm工藝台積電與三星相爭如今看來還是三星領先,筆者預計在7nm工藝上三星也可能再次領先!

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台積電笑了!三星10nm除高通居然沒人買- Q博士

從今年Q3開始, 三星 在半導體方面的總營收就超越 Intel ,成為全球第一。 IC Insights在11月份表示,去年三星在半導體方面花了113億美元,今年預計達到260億美元(約合1724億元),超越Intel和 台積電 投資量的總和。 從結構上來看,三星旗下有設計、代工甚至包括零售成品,不過TrendForce在最近報告中指出, ...

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性能提升10%,三星開始生產第二代10nm 製程處理器- 手機新聞| ePrice ...

近期一直有消息指出三星的Galaxy S9 系列新旗艦可能會提早發表,而日前有一項新的消息可能會是Galaxy S9 系將提前推出的新證據,那就是三星已經正式宣布開始生產第二代的10nm 製程處理器。

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高通Snapdragon 845發表採用三星10nm製程

高通新一代旗艦行動平台Qualcomm Snapdragon 845 於今日(12/5)在美國夏威夷登場的 Snapdragon 技術高峰會亮相。Qualcomm Snapdragon 845 將由三星代工,並且採用 10 奈米製程,而關於Snapdragon 845 行動平台的完整功能與規格預計將於12 月6 日才會全面公開。此外,小米也在會中宣布下一代旗艦手機將採用 ...

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三星搶進6 奈米製程,二代10 奈米年底量產| TechNews 科技新報

三星電子野心勃勃,全力搶攻晶圓代工業務,該公司宣布第二、三代10 奈米製程量產時間,並表示未來將增加8 奈米和6 奈米製程,嗆聲台積電意味濃厚。 三星電子15 日新聞稿稱,三星電子10 奈米FinFET 製程良率穩定,能及時滿足客戶需求,增產情況順利。三星第一代10 奈米製程L...

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