ftj原理
2022年2月20日 — FTJ 記憶體的結構相對簡單，如圖六(c) 所示，為鐵電層被上/下電極所包覆的三明治結構。藉由鐵電層極化量方向可調變能障高度(barrier height)，由於穿隧 ... ,2022年2月22日 — 儘管FTJ 記憶體具有成為下世代記憶體的高度潛力，不過以現階段而言，低電流密度限制了讀取資料的速度，因此比較適合應用於In-Memory Computing 中的大量 ...
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2022年2月20日 — FTJ 記憶體的結構相對簡單，如圖六(c) 所示，為鐵電層被上/下電極所包覆的三明治結構。藉由鐵電層極化量方向可調變能障高度(barrier height)，由於穿隧 ... https://www.matek.com 淺談鐵電記憶體：如何實現下世代「記憶體內運算」？
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2022年3月4日 — ... 原理、挑戰與展望」文稿，經科技新報修編為上下兩篇，此篇為下篇 ... 自HfO2 鐵電材料發現後，為FeRAM、FeFET 與FTJ 記憶體的發展開啟了一個新的契機。 https://today.line.me |