RF 電場

需要外界的能量- 射頻(RF)電漿源是半導 ... 電場來), 方能有足夠的能量在下次碰撞 ... downstream. →. 24. ICP (Inductively Coupled Plasma). 氦氣. RF偏壓. 晶圓. ,測量...

RF 電場

需要外界的能量- 射頻(RF)電漿源是半導 ... 電場來), 方能有足夠的能量在下次碰撞 ... downstream. →. 24. ICP (Inductively Coupled Plasma). 氦氣. RF偏壓. 晶圓. ,測量或是監測無線電頻率(RF)之電場設備,例如量測通訊基地台、微波爐、雷達、. 熔接設備、電視台天線、電台、工廠及其他環境之電場可測量高頻電場之低功率.

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Plasma

需要外界的能量- 射頻(RF)電漿源是半導 ... 電場來), 方能有足夠的能量在下次碰撞 ... downstream. →. 24. ICP (Inductively Coupled Plasma). 氦氣. RF偏壓. 晶圓.

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TM-195 高頻(RF)電場設備電磁波測試器

測量或是監測無線電頻率(RF)之電場設備,例如量測通訊基地台、微波爐、雷達、. 熔接設備、電視台天線、電台、工廠及其他環境之電場可測量高頻電場之低功率.

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勝特力電子零件材料>TM-195 高頻(RF)電場設備電磁波測試器 ...

勝特力電子材料,產品分類:TM-195,製造廠商訊息:TENMARS,簡介說明:高頻(RF)電場設備電磁波測試器,自訂編號:52967.

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國立交通大學機械工程研究所碩士論文 - 國立交通大學機構典藏

電漿蝕刻製程參數中一般包括了射頻(Radio-frequency,RF)功率、操. 作壓力、氣體 ... 也可由電漿密度來判斷,然而感應電場在電漿中所造成與RF 電流相反方向的電.

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第二章文獻回顧

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電漿反應器與原理

電漿的產生是靠碰撞,靠著電子在電場中加速獲得極高的動能,當碰撞到氣. 體分子或原子 ... RF 是目前應用最普遍的電源,電極可以如DC 放電裝置般置入反應器中,.

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