FRAM 記憶體
美國Ramtron公司記憶體(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料。這一特殊材料使得記憶體產品同時擁有隨機存取記憶體(RAM) 和非揮發性貯存產品的特性。 記憶體材料的工作原理 ... ,鐵電隨機存取記憶體（Ferroelectric RAM，縮寫為FeRAM或FRAM），類似於SDRAM，是一種隨機存取存儲器技術。但因為它使用了一層有鐵電性的材料，取代原有的介電質，使得 ...
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 FRAM 記憶體 相關參考資料
非揮發性FRAM記憶技術原理及其應用初探
FRAM是以RAM為基礎、運用鐵電效應、並使用浮. 動閘技術作為一個儲存裝置。比起其他非揮發性記憶. 體，FRAM是一個完全截然不同的裝置。鐵電效應是. 在一種材料中 ... https://www.tsia.org.tw FRAM記憶體技術原理
美國Ramtron公司記憶體(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料。這一特殊材料使得記憶體產品同時擁有隨機存取記憶體(RAM) 和非揮發性貯存產品的特性。 記憶體材料的工作原理 ... https://www.ctimes.com.tw 鐵電隨機存取記憶體 - 維基百科
鐵電隨機存取記憶體（Ferroelectric RAM，縮寫為FeRAM或FRAM），類似於SDRAM，是一種隨機存取存儲器技術。但因為它使用了一層有鐵電性的材料，取代原有的介電質，使得 ... https://zh.wikipedia.org 鐵電隨機存取記憶體
鐵電隨機存取記憶體（Ferroelectric RAM，縮寫為FeRAM或FRAM），類似於SDRAM，是一種隨機存取存儲器技術。但因為它使用了一層有鐵電性的材料，取代原有的介電質，使得 ... https://zh.wikipedia.org 鐵電隨機存取記憶體FRAM
2014年10月24日 — 鐵電隨機存取記憶體 (Ferroelectric RAM，縮寫為FeRAM或FRAM)，是一種隨機存取存儲器技術，採用鐵電質膜取代原有的介電質，做為電容器以儲存資料。 https://www.moneydj.com 搭载I2C汇流排的16K位元通用FRAM记忆体
到目前為止，富士通半導體提供的. 通用FRAM記憶體產品支援3種介面（並列. 通訊、串列通訊SPI和串列通訊I²C匯流. 排），這些產品具有寫入速度快、耗電. https://www.fujitsu.com 鐵電隨機存取記憶體（FRAM）-半導體晶片
應用與效益 · 1.平台特點： FRAM 於0.13～0.18µm CMOS技術節點。 · 2.低電壓晶片： 2D-FRAM技術（VDD ≤ 2.8V，VFE ≤ 2.0V）。 · 3.高密度晶片： 3D-FRAM技術（VDD=3.3V， ... https://www.itri.org.tw FRAM F-RAM – Mouser 臺灣
半導體 記憶體IC F-RAM · 產品類型 = FRAM. 製造商, 存儲容量, 接口類型, 最高時鐘頻率, 組織, 封裝/外殼, 存取時間, 電源電壓- 最小值, 電源電壓- 最大值, 最低工作溫度 ... https://www.mouser.tw 嵌入式記憶體的基礎知識：EEPROM、FRAM、eMMC 和SD 卡
2019年10月16日 — 熟悉嵌入式記憶體的基礎知識(EEPROM、FRAM、eMMC 和SD 卡)，以瞭解記憶體的選擇、使用場合以及使用方法。 https://www.digikey.tw |