軟烤硬烤差別
整個微影的製程有塗底(Priming)(如HMDS)、上光阻(Coating Photoresist)、軟烤(Soft Bake)、曝光(Exposure)、顯影(Development)和硬烤(Hard Bake)等步驟。 ,3.1 基板的準備; 3.2 光刻膠的塗抹; 3.3 軟烤; 3.4 曝光; 3.5 顯影; 3.6 硬烤; 3.7 蝕刻或離子注入 ... 完成光刻膠的塗抹之後，需要進行軟烤操作，這一步驟也被稱為前烘。
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 軟烤硬烤差別 相關參考資料
微影技術~~~~~~硬烤問題| Yahoo奇摩知識+
---硬烤定義 1. 軟烤：90℃，烤去光阻大部分溶劑，增加和晶園的附著力。 2. 硬烤：120℃，將光阻中樹脂成分烤硬，以利於後續蝕刻處理。 ---硬烤方式 https://tw.answers.yahoo.com 國立中興大學-光電半導體製程中心
整個微影的製程有塗底(Priming)(如HMDS)、上光阻(Coating Photoresist)、軟烤(Soft Bake)、曝光(Exposure)、顯影(Development)和硬烤(Hard Bake)等步驟。 http://www.ee.nchu.edu.tw 光刻- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
3.1 基板的準備; 3.2 光刻膠的塗抹; 3.3 軟烤; 3.4 曝光; 3.5 顯影; 3.6 硬烤; 3.7 蝕刻或離子注入 ... 完成光刻膠的塗抹之後，需要進行軟烤操作，這一步驟也被稱為前烘。 https://zh.wikipedia.org 微影
4. Introduction. ◇光阻. ◇塗底. ◇光阻塗蓋. ◇軟烤. ◇曝光. ◇顯影. ◇硬烤. ◇去光阻 .... 微影的製程在經過軟烤的程序之後，原本液態的光阻劑便. 在晶片上固化。 http://waoffice.ee.kuas.edu.tw 第一章緒論 - 國立交通大學機構典藏
顯影（Develop）、硬烤（Hard Bake）以及微影製程檢視: a.層對層覆蓋誤差 ... 包含去水烘烤、黏著層塗佈、光阻塗佈、去邊、軟烤、曝光、烘烤、顯影及硬烤等步驟，. 目前常見的步進機整合系統如下 ...... 位置與數量也會有差別。 4.1.1 曝光機對準系統的 ... https://ir.nctu.edu.tw 光阻顯影示意圖（硬烘烤）
... 系統將鉻膜圖形製作在玻璃或石英上頭，經由光罩透光與不透光之差別，可於光 ... 旋轉塗佈光阻、2.軟烘烤、3.對準與曝光、4.曝後烤、5.顯影、（硬烘烤）、6.完成微影製程 ... 當光阻覆蓋於晶片表面之後，即須要進入軟烤之步驟，軟烤的目的是為了去除 ... http://my.stust.edu.tw 微影照像
(b)旋塗光阻（此例為正型）、軟烤。 (c)曝光、硬烤。 (d)顯影。蝕刻。 (e)去除阻劑，離子植入（也可以在(d)以光阻做幕罩進行離子植入）。 1.2 ULSI微影技術的延伸與極限. http://www.wunan.com.tw 黃光微影製程技術 - NTNU MNOEMS Lab. 國立台灣師範大學機電科技 ...
晶片前處理：去水烘烤與塗底(Hexamethyldi-silazane, HMDS)增加光阻附著性. ○ 旋轉塗佈： ... 預烤(pre-bake)或稱軟烤(soft-bake) ... 硬烤(post-bake or hard-bake). http://mems.mt.ntnu.edu.tw [問題] 光阻去不完全- 看板NEMS - 批踢踢實業坊
光阻是EPG-512，顯影液EPD-1000 光阻厚度約1μm 預烤150度45min 軟烤90度30min 硬烤120度30min 接觸式曝光機70v 300w uv照射時間4.8s ... https://www.ptt.cc 光阻鍍膜機與濕蝕刻清洗機之製程與設備技術實務 - 東南科技大學-環境 ...
烘烤（7）顯影（8）硬烤（9）濕式去光阻（10） DI 超純水之清. 洗等以上程序 .... 去水烘烤HMDS 光阻塗佈機製程原理及關係式軟烤的溫度控制. 微影的基本 ... 因此我們. 可以利用PAC 在感光與未感光對鹼性溶劑的差別溶解度(Differential. http://web.tnu.edu.tw |