工 研 院 記憶體
技術簡介. 氧化物電阻式記憶體是一種利用電壓來改變氧化物電阻的新興非揮發性記憶體技術，其主要的特點在於元件結構簡單。工研院目前所開發的HfOx電阻式記憶體，其特性 ... ,工研院於今美國舉辦的IEEE國際電子元件會議（International Electron Devices Meeting，IEDM）中發表三篇鐵電記憶體（Ferroelectric RAM，FRAM）以及三篇磁阻隨機存取 ...
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