二極體障壁電壓
2. 在空乏區內由正負離子所形成的電位差稱為障壁電壓（Barrier Potential）或膝點 ... 若順向偏壓大於障壁電壓，二極體流過大量順向電流，此時二極體導通猶如短路 ... ,位（Potential barrier）」，一般而言，Ge 的P-N 接合面的障壁電位約為 ... 當半導體二極體的P 端施加正電壓，N 端施加負電壓時，此種電壓狀態稱. 為順向偏壓（Forward ...
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 二極體障壁電壓 相關參考資料
二極體
正電性 Choice 2 負電性 Choice 4 中性 Choice 3 以上皆非。 2. 二極體若加以順向偏壓，則. Choice 1 障壁電壓降低，空乏區寬度減小 Choice 2 障壁電壓增加，空乏區 ... http://www.hlis.hlc.edu.tw 實習三二極體之特性與應用
2. 在空乏區內由正負離子所形成的電位差稱為障壁電壓（Barrier Potential）或膝點 ... 若順向偏壓大於障壁電壓，二極體流過大量順向電流，此時二極體導通猶如短路 ... http://vision.taivs.tp.edu.tw P-N 接面二極體P-N Junction Diode
位（Potential barrier）」，一般而言，Ge 的P-N 接合面的障壁電位約為 ... 當半導體二極體的P 端施加正電壓，N 端施加負電壓時，此種電壓狀態稱. 為順向偏壓（Forward ... http://www.taiwan921.lib.ntu.e 二極體特性
二極體的順向特性. 存在一個切入( 膝點) 電壓( 即障壁電壓). 鍺約0.2V. 矽約0.7V. 當外加電壓< 切入電壓， I d. =0. 當外加電壓> 切入電壓， I d. https://sywung.files.wordpress 二極體- Wikiwand
一般來說，只有在順向超過障壁電壓時，二極體才會工作（此狀態被稱為順向偏壓）。一個順向偏壓的二極體兩端的電壓降變化只與電流有一點關係，並且是溫度的函數。 https://www.wikiwand.com 二極體- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
跳到 接面電壓 - 當二極體的P-N接面處於順向偏壓時，必須有相當的電壓被用來貫通空乏區，導致形成一逆向的電壓源，此電壓源的電壓就稱為障壁電壓，矽二 ... https://zh.wikipedia.org pn接面二極體的動作原理
因為n型雜質提供半導體自由電子，通常被稱為施體雜質。在n型半導體中電洞也會 ... 在攝氏25度時，鍺(Ge)二極體的位能障壁約為0.3V，矽(Si)二極體則為0.7V。 內建電位障壁 在室溫 ... 空乏區的寬度會隨著順向電壓的上升而減少。 (圖2) 順向偏壓. http://pub.tust.edu.tw 與二極體(diode) 二極體
第一象限的曲線代表二極體受到順向偏壓後電流與偏壓. 之間的關係。在順向偏壓值未達障壁電壓( 矽為0.7 V，鍺為. 之前電子與電洞無法通過空乏區所以電流趨近於. http://www.ym.edu.tw P-N接面理論
將P型半導體與N型半導體接何在一起，即為PN二極體，其物理結構如圖(7)，PN二極體 .... 當二極體順偏時，增加外加電壓使順偏電壓＞障壁電壓，電流迅速增加之電壓 ... http://vision.taivs.tp.edu.tw |